Resonant Tunneling Diode
谐振隧穿二极管(Resonant Tunneling Diode,简称RTD)是一种半导体器件,其特殊的结构使得电子可以在能带间通过隧穿效应进行传输。它具有高速、低功耗和高频率等优点,在微波和毫米波领域有着广泛的应用。
读音:[ˈrezənənt ˈtʌnlɪŋ daɪˌəʊd]
用法:谐振隧穿二极管是一种重要的电子器件,可用于高频放大器、振荡器、倍频器和开关等领域。
例句1:The resonant tunneling diode is widely used in high-frequency applications due to its unique properties.
谐振隧穿二极管由于其独特的特性,在高频应用中得到了广泛的应用。
例句2:The resonant tunneling diode can achieve high-speed switching with low power consumption.
谐振隧穿二极管可实现低功耗高速切换。
例句3:The resonant tunneling diode operates based on the principle of quantum tunneling.
谐振隧穿二极管基于量子隧穿原理工作。
例句4:The resonant tunneling diode has a narrow bandgap, allowing for efficient electron transfer through the device.
谐振隧穿二极管具有窄的能带间隙,可以通过器件实现高效的电子传输。
例句5:The resonant tunneling diode is a promising candidate for future high-speed and low-power electronic devices.
谐振隧穿二极管是未来高速低功耗电子器件的有力候选者。
同义词及用法:谐振隧穿二极管也被称为共振隧穿二极管(Resonant Tunneling Transistor,简称RTT)。它与RTD的结构和工作原理类似,但具有更高的增益和更低的噪声。RTT通常用于高频放大器和开关等应用。
编辑总结:谐振隧穿二极管是一种重要的半导体器件,具有独特的结构和优良的性能,在高频领域有着广泛的应用。它可以实现高速、低功耗和高频率等特性,被认为是未来电子器件发展方向之一。